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Raman散射圖譜和X射線搖擺曲線測試結果表明生長的8英寸SiC為4H晶型，如圖二所示；(0004)面的半高寬平均值為46.8 arcsec，如圖三所示。相關工作已申請了三項中國發明專利。 8英寸SiC導電單晶研制成功是物理所在寬禁帶半導體領域取得的又一個標志性進展，研發成果轉化后，將有助于增強我國在SiC單晶襯底的國際競爭力，促進我國寬禁帶半導體產業的快速發展。

2016年后，三安光電對可見光LED的專利申請量逐漸下降，并開始增加對Micro/Mini LED、GaN基FET的專利申請。 氮化鎵三大重點技術解析 首先， GaN 襯底技術是器件降本的突破口 ，當前正從小批量規模向產業商業化方向發展，同時向大尺寸和高晶體質量方向發展。

此外，專利申請人通常會在本國或本地區申請專利優先權，因此可以通過優先權國家或地區的專利申請數量來判斷一個國家或地區在相關技術方面的發展水平和研發（研究與試驗發展）實力。在此基礎上，圖 19c 總結了各國家和地區鋰 SE 和鋰 SSLB 的專利申請數量和比例。

而在日本，宮本喜之助以噴附配線法“メタリコン法吹著配線?法(特許119384號)”成功申請專利。而兩者中Paul Eisler 的方法與現今的印制電路板最為相似，這類做法稱為減去法，是把不需要的?屬除去；而Charles Ducas、宮本喜之助的做法是只加上所需的配線，稱為加成法。

、功率晶體管和晶閘管等，復合型器件包括絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）等。

通過鋁雜質源轉移擴散方法 [30]，優化雜質分布，突破了高溫深結擴散、雙負斜角臺面造型和防爆封裝等關鍵技術，研制出全球第 1 只 6 英寸 4 000 A/8 000 V 高壓晶閘管 [31-32]；基于靈寶背靠背直流工程需要，設計開發了6 英寸 4 500 A/7 200 V 晶閘管；經過多輪技術迭代和工程驗證，自主研發了 ±1 100 kV 特高壓直流輸電用6 英寸 5 000 A/8 500

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