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石墨烯納米片(GNPs)具有優異的導電性、優異的導熱性，顯示出作為新材料的巨大潛力。但是由于GNP含量有限(<30 wt%)，石墨烯納米片/聚合物復合材料（GPCs）的電磁屏蔽性和熱導率保持在相對較低的水平，這限制了它們在下一代高度集成電子設備中的應用。高GNP含量(≥50 wt%)的GPC材料有望通過形成致密的導電網絡產生具有強電磁屏蔽能力和良好導熱性。

提出采用單軸靜電紡絲和同軸靜電紡絲的方法，制備了不同微觀形貌的單軸聚乙烯醇/納米金剛石片(U-PVA/ND)和同軸聚乙烯醇/納米金剛石片(C-PVA/ND)復合纖維薄膜。這兩種方法都不需要復雜的預處理程序和引入多余的添加劑。結果表明，ND含量為60 wt %的U-PVA/ND和C-PVA/ND復合纖維的導熱系數分別為71.3和85.3 W/(mK)，分別是純PVA纖維膜的171.2和205.1倍。

因此，許多研究開發了LDPE與六方氮化硼納米片(BNNS)相結合的高導熱復合材料，以在熔體粘附過程中實現高導熱和形狀穩定。然而，較強的化學鍵和強的范德華力會導致BNNS與LDPE的相容性較低，從而導致BNNS與LDPE界面處的相分離和重新聚集。因此，由于這些問題引起的熱阻增加，這可能會大大降低制備好的BNNS/LDPE復合材料的熱導率。

<p>基于comsol的納米片電磁局域增強</p><div contenteditable="false" width="100%"> <figure class="figure-image" data-img="https://img.jishulink.com/202410/attachment/c3c9d1423563417396a08eb5d66232c9.gif" style="text-align

近期有數家晶圓廠宣布，其3納米或2納米邏輯芯片的量產技術將轉移陣地，從主流的鰭式場效晶體管（FinFET）制程，改以納米片（nanosheet）的晶體管架構制造。imec將于本文回顧納米片晶體管的早期發展歷程，并展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效晶體管（CFET）。

該團隊提出利用聚合誘導的對芳綸納米纖維(PANF)的框架形成特性和六方氮化硼納米片(BNNS)的高導熱性，通過簡單的真空輔助自堆疊方法成功制備了三維層壓的PANF- BNNS氣凝膠，該氣凝膠可作為環氧樹脂(EP)的導熱骨架。在所制備的PANF-BNNS/EP納米復合材料中，13.2%的BNNS負載時，其導熱系數為3.66 W/mK。通過有限元分析驗證了熱傳導路徑的有效性。

圖三: 臺積與三星的納米片結構制程比較。納米片成為產業共識但誰會需要2nm技術?對于臺積與三星皆選擇了納米片架構作為下一代的制程技術，其實一點都不令人意外，甚至可以說是一種必然的結果。比利時微電子研究中心（imec）就曾在一篇技術文章中指出(注1)，納米片可以視為FinFET的自然演變，它能讓許多針對FinFET制程應化的模組，都能沿用至納米片制程。

圖1:在980納米以下具有高透射率，在1030納米以上具有高反射率的介質邊緣濾波器的波長相關反射率。從分析公式設計開始，性能已經在數值上進一步優化(使用軟件 RP Coating)。

譜尼生物醫藥非常重視藥物的高端制劑研究，在納米制劑、微丸、原位凝膠、脂肪乳、滲透泵片、脂質體、微球等制劑的研究方面具有豐富的經驗。

眾所周知，SiC具有優越的電磁特性、優異的光學、電和熱性能、低成本、高硬度、良好的穩定性和環境友好性，但SiC納米顆粒和納米片易于團聚，在實際應用中存在一定的局限性。值得注意的是，與SiC納米顆粒和納米片相比，SiC納米纖維具有更好的導電性、更大的表面積以及更好的力學性能，這為研究人員開發一種新型個人熱能調節設備以提高人體熱舒適控制提供了思路和靈感。

Pavonine Korea通過球面熱成型增加鏡頭功能的薄膜型反射偏光片原理線柵是一種將納米圖案涂在非常薄的金屬上的材料。公司在這種材料上做了球面熱成型作業，制作出一半光成為透過偏光，一半光成為反射偏光的特殊偏光片。其核心是，可替代以玻璃或塑料為材料使用的Pancake光學系的鏡頭。XR設備由于顯示屏和眼睛的距離要近，還要使光學模組制作得更小，所以主要使用Pancake結構。

以上這四座超大晶圓廠的總產能已超過1,000萬片十二英寸晶圓。目前提供0.13微米、90納米、65納米、40納米、28納米、20納米、16納米、10納米、7納米和5納米全世代，以及其半世代設計的制程技術。3納米于晶圓十八廠進行風險試產，預計于2022年下半年量產。

氮化硼納米片與氧化鋁顆粒協同高導熱絕緣PET無紡布/PDMS夾心復合膜[J]. 聚合物復合材料 總結：該文通過納米纖維素纖維的分散和界面增強，在聚酯基紡織布(NWF)上配置氮化硼納米片(BNNS)，獲得三維環氧樹脂網絡骨架(BNNS@NWF)。

也大概是自此之后，一直有佳能將納米壓印技術用于量產存儲芯片的新聞。 據了解，佳能最新的納米壓印設備的參數指標不錯，套刻精度為2.4nm/3.2nm，每小時可曝光超過100片晶圓，納米壓印技術已經達到3D NAND大規模生產水平和要求。

當前幾乎所有常用的光學元件，例如透鏡、偏振鏡、濾光片，都能被體積更小的超表面實現。 如何獲得一片超表面？這需要經過兩個步驟：設計與加工。對于設計，人們根據擬實現的超表面，對每個結構單元進行參數化，即確定在什么空間位置對反射或透射光的幅度、相位或極化進行怎樣的改變。而后利用仿真軟件，通過掃描結構的幾何與電磁參數，設計出結構單元。

如圖4d所示，碳纖維或碳納米管的存在在石墨烯或氧化石墨烯片之間架起了有效的散熱通道，起到了重要作用。 圖4.(a)氧化石墨烯/碳納米管復合膜的棒狀涂層制備，(b, c)復合膜的SEM和TEM形貌。

提出了一種簡單的電紡絲-電噴涂技術，用于制備具有雙組分納米片填充納米纖維三維橋接結構的高導熱絕緣納米復合膜。通過闡明雙組分多通道三維網絡的導熱機理，優化納米片納米纖維膜的堆疊結構，與PI/50BNNS相比，PI/50BNNS@2.5rGO納米纖維復合膜的力學性能提高了168%。這是由于BNNS和rGO之間的堆積效應和界面相互作用。

然而復合材料中石墨烯納米片在干燥時會收縮引入褶皺，大大降低了復合材料導熱性能和力學性能的進一步提高。本文基于面內拉伸策略和溶膠-凝膠-薄膜轉換法制備了消除石墨烯納米片褶皺的復合膜，提高了了石墨烯納米片沿面內方向的取向度，并進一步增強了石墨烯納米片與基體之間的界面相互作用。

極化激元強的場局域，以及靈活可調的波前傳輸和負折射聚焦能力，為片上光學以及納米光子學的調控研究開辟了令人興奮的途徑。 論文信息 Hu H, Chen N, Teng H, Yu R, Xue M, Chen K, Xiao Y, Qu Y, Hu D, Chen J, Sun Z, Li P, de Abajo FJG, Dai Q.

在一項研究中， [25] 使用 GO 納米片作為物理交聯劑，制造了 CMC 接枝的 2- 丙烯酰胺 -2- 甲基丙烷磺酸共聚物水凝膠的新型三維網絡。