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主頻 使用HSE(高速外部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M使用HSI(高速內部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M主頻大意味著單片機代碼運行的速度會更快，項目中如果需要進行刷屏，開方運算，電機控制等操作，GD是一個不錯的選擇。

2-1、配置CPU ：ST的STM32G030FOLED：中景園0.63寸，120*28，IIC接口OLEDUSB toTTL：Silicon Lab的CP2102ADC：TI的ADS12552-2、原理圖詳細介紹去年最喜歡用的低端單片機就是G030了，簡單好用有貨并不貴，完美應用于簡易小產品。

但是因為簡單也會導致不少小問題，比如如果R1取值為2K，Uref為5V，而R2的阻值范圍在5到10歐姆左右，那么R2分得的電壓Vo=0.01247到0.02488，電壓變化的范圍過小，如果ADC是12位的，ADC的參考電壓為3.3V，這時候ADC的采集值的范圍在15到30，也就是AD值的變化范圍有30-15=15個，而電阻的變化范圍為10-5=5歐姆，也就是5歐姆的變化范圍用15個AD值的變化來計算

二、GuiLite移植 2.1 硬件準備 STM32F407開發板 OLED屏幕 2.2 驅動準備 這里我使用STM32CubeMX 對開發板進行外設配置，開啟STM32的硬件IIC，這里我用CubeMX開啟后如下： 配置完成生成代碼，同時將分配的堆空間增大：

問題是這樣的，單片機的ADC有一個輸入阻抗，和外面的采樣電阻并聯后，采樣阻值發生變化，采樣電壓也發生變化，從而使單片機采集到的數值和理論計算數值不一樣，產生誤差。如果單片機的ADC輸入阻抗比外面的采樣電阻大很多，那誤差不會很大。但是如單片機的ADC輸入阻抗和外面的采樣電阻相差不大，那么產生的誤差就比較大了。

圖1的示意圖中可以看出，在傳統的電池管理系統BMS架構中，電池管理系統是放在高壓側的，內部主控單片機MCU包含了全部的采樣功能，包括高壓側電壓采樣、絕緣阻抗采樣和電流采樣，而電氣配電盒 （BJB） 只包含高壓接觸器、保險絲 （熱熔） 和電流傳感器，這種方式從系統整體布局來看，高壓采集線纜布局的困難較大，多個接觸器的高壓采樣點最終都要連接到BMU上，且BJB需要通過線纜連接到隔離模數轉換器ADC

單片機編程者需要知道自己的程序需要花費多長時間、while周期是多少、delay延時是否真如函數功能描述那樣精確延時。 測試代碼的運行時間的兩種方法 使用單片機內部定時器，在待測程序段的開始啟動定時器，在待測程序段的結尾關閉定時器。為了測量的準確性，要進行多次測量，并進行平均取值。

注意，以上公式中的f是模擬輸入頻率。通過簡單示例可知，如果tj = 50 ps rms，f = 100 kHz，則SNR = 90 dB，相當于約15位的動態范圍。時鐘抖動對SNR的這一影響在教程MT-007中有詳細論述。不過，在大多數高性能ADC中，內部孔徑抖動與采樣時鐘上的抖動相比可以忽略。 理想情況下，采樣時鐘振蕩器應參考分離接地系統中的模擬接地層。

七、STM32中的串口通訊STM32串口通信接口有兩種，分別是：UART(通用異步收發器)、USART(通用同步異步收發器)，對于大容量STM32F10x系列芯片，分別由3個USART和兩個UART。 TXD：數據發送引腳；RXD：數據輸入引腳對于兩芯片的間的連接，兩個芯片GND共地，同時TXD和RXD交叉連接，這樣兩個芯片間可進行TTL電平通信。

這里，初學者要澄清單片機實際使用方面的一個產品概念，MCS-51單片機是美國INTE公司于1980年推出的產品，典型產品有 8031（內部沒有程序存儲器，實際使用方面已經被市場淘汰）、8051（芯片采用HMOS，功耗是630mW，是89C51的5倍，實際使用方面已經被市場淘汰）和8751等通用產品，一直到現在， MCS-51內核系列兼容的單片機仍是應用的主流產品（比如目前流行的89S51、已經停產的

芯片集成多路 I2C、SPI、USART 等通訊外設,1 路 12 位 ADC,2 路 DAC,13 個定時器,1 個 USB 2.0, 3路比較器,3 路運算放大器,1 個 LCD 驅動器。PY32F071 系列微控制器的工作溫度范圍為- 40 ℃ ~ 85 ℃,工作電壓范圍 1.7 V ~ 5.5 V。

XL32F001 系列微控制器的工作溫度范圍為-40°C ~ 85°C，工作電壓范圍 1.7V ~ 5.5V。芯片提供 sleep/stop低功耗工作模式，可以滿足不同的低功耗應用。

以串口傳輸方式為例，標準的串口傳輸方式是低位先行，芯片在通過TX引腳發送數據時，依次發送位0、位1……位7。 串口傳輸是低位先行 UART在數據傳輸時，協議規定了數據傳輸必須是低位先行，看下面的時序圖你就知道了~ 截圖自STM32F407中文參考手冊 IIC傳輸是高位先行 IIC的數據和地址均以8位字節傳輸，MSB 在前。

一、核心架構與存儲配置PY32F002B 系列微控制器搭載32 位 ARM? Cortex?-M0+ 高性能內核，運算性能出色，芯片最高工作主頻可達 24 MHz。

如果采樣電容上的模擬電壓高于內部DAC電壓，記為1 如果采樣電容上的模擬電壓高于內部DAC電壓，記為0 圖4：6-bit ADC的轉換過程 所以，轉換時間是轉換取決于時鐘頻率和ADC分辨率。上圖示例中，轉化需要6個時鐘周期得到結果。

這里介紹一下NXP的S32系列MCU芯片。2.1 S32K3系列MCU芯片NXP S32K3是基于ARM Cortex-M7內核所打造的、可支持ASIL-D級別功能安全的系列家族MCU芯片產品。它的設計應用場景包括：電機控制器、車身控制器、BMS等整車控制域中各種控制器單元。

考慮到節能的問題，我們需要MCU提供一個端口，提供高電平作為環境溫度檢測的供電系統，當NTC熱敏電阻伴隨環境溫度變化而發生變化時，MCU還需提供一個ADC腳來采集NTC變化的電壓。我們再通過軟件的計算補償，實時的調整PWM的輸出占空比，消除環境溫度的偏差，達到對鈦絲穩定驅動的閉環效果。

經過AD口轉換后的電壓會直接傳送到單片機中進行處理，并發出對應控制指令。但是由于單片機的電源電壓是5V，此時要求經過AD口轉換后的電壓在5V以下。在一般狀況下光伏組件的輸出電壓在30~40V之間，此時可以采用電阻分壓的方式降低AD口采集電壓值。電壓檢測電路如圖3所示。

MCU的工作原理MCU的工作原理是逐條執行預存指令的過程，不同類型的單片機有不同的指令系統。為了讓一個單片功能自動完成某項具體任務，必須將所要解決的問題編成一系列的指令，并且這些指令必須是由一個單獨的函數來識別和執行的，這樣一系列指令的集合就變成了程序，這些程序需要預先儲存在有存儲能力的存儲器中，也就是我們常說的內存。

考慮到節能的問題，我們需要MCU提供一個端口，提供高電平作為環境溫度檢測的供電系統，當NTC熱敏電阻伴隨環境溫度變化而發生變化時，MCU還需提供一個ADC腳來采集NTC變化的電壓。我們再通過軟件的計算補償，實時的調整PWM的輸出占空比，消除環境溫度的偏差，達到對鈦絲穩定驅動的閉環效果。