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透射和反射全像的繞射波和穿透波的TE(橫向電場)的偏振電場可以用以下4個公式計算。注意，在這個理論中，能量被假設為只在入射波、零階（直射波）和一階繞射波之間交換。若要消除這個限制，需要嚴格耦合波分析理論。對於TM(橫向磁場)極化，我們可以簡單地將κ替換為κTM，如下所示，仍然使用前面的公式。

麥克斯韋方程組共有四個方程：描述電荷如何產生電場的高斯定律、描述磁單極子不存在的高斯磁定律、描述電流和時變電場如何產生磁場的麥克斯韋-安培定律、描述時變磁場如何產生電場的法拉第感應定律。麥克斯韋方程組的微分形式 二、光器件仿真原理 從本質上看，仿真光器件就是計算得出光場（電磁場）在器件和周圍環境中如何分布，以及如何隨時間變化。

這類器件一般使用磁光效應，例如法拉第 (Faraday) 效應。雖然目前在OpticStudio中沒有表面可以模擬這類磁光效應，但我們可以使用瓊斯矩陣表面近似模擬一個軸上光學隔離器。隔離器中的光學材料對于不同角度入射光的影響各不相同。也就是說，對于一個在給定方向傳播的線偏光，材料將使光線旋轉一定角度β；當以相反方向傳播時，材料將使光線旋轉角度-β。

傅里葉模態法（嚴格耦合波分析） 讓我們快速回顧一下用于模擬SRG 的DLL中使用的理論。 傅里葉展開式 圖2. 在傅里葉空間展開麥克斯韋方程。將介電常數 ε 和磁導率 μ 都寫入傅里葉級數中， Λx和 Λy為x和y方向的周期，a和b是每個傅里葉項的系數，(m, n)是整數。將電場E和磁場H寫成平面波的組合，其中S和U是每個平面波的強度，k是波矢量。